[아유경제=김민 기자] 삼성전자가 10나노급 D램 시대를 열며 반도체 기술의 한계를 다시 한 번 넘어섰다.
지난 5일 삼성전자는 올 2월부터 세계 최소 크기 18나노 8기가비트(Gb) DDR4(Double Data Rate 4) D램을 양산했다고 밝혔다. 특히 2014년 세계 최초로 20나노 4Gb DDR3 D램 양산에 이어 이번 18나노 8Gb DDR4 D램 양산으로 메모리 기술의 새로운 이정표를 세웠다고 사 측은 강조했다.
18나노 D램에는 초고집적 설계, 사중 포토 노광(Quadruple Patterning Technique), 초균일 유전막 형성 등 3가지 혁신 기술이 적용됐다. 이 가운데 가장 눈에 띄는 것은 초고집적 설계 기술이다. 이는 삼성전자가 독자 개발한 차세대 반도체 설계 기술로, 이를 통해 20나노 4Gb DDR3 D램보다 생산성을 30% 이상 높였다고 사 측은 설명했다. 또한 초고속ㆍ초절전 설계 기술을 적용해 기존 20나노 대비 동작 속도가 30% 이상 빠른 3200Mbps를 구현할 수 있다. 동작 상태에 따라 소비전력이 10~20% 절감돼 차세대 엔터프라이즈 서버 시장에도 최적 솔루션을 제공할 것으로 기대를 모은다.
삼성전자는 PC용 4GB(기가바이트) DDR4 모듈을 시작으로 엔터프라이즈 서버용 128GB 모듈까지 풀 라인업을 구축하고 초고용량 모바일 D램의 높은 수요 증가세에 맞춰 18나노 생산 비중을 지속적으로 확대해 프리미엄 D램 시장 성장세를 견인한다는 구상이다.
삼성전자 메모리사업부 전영현 사장은 "10나노급 D램은 글로벌 IT 고객들에게 최고 효율의 시스템 투자 솔루션을 제공할 것"이라며 "향후 차세대 초고용량 초절전 모바일 D램 출시를 통해 모바일 시장 선도 기업들이 더욱 혁신적인 제품을 적기에 출시해 글로벌 소비자의 사용 편리성을 대폭 향상하는 데 기여해 나갈 것"이라고 밝혔다.

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